本文设计了一种碳化硅沟槽栅控 MOSFET 及 IGBT 的新结构。通过外延回填工艺，获得 p-型侧壁较 薄的侧壁回填厚度。该侧壁回填厚度需要非常薄（针对一个本方案的特征例进行仿真，获得该厚度范围为<40nm； 进一步的结构与参数设计方案优化之后，该厚度也需要<100nm），这个结构参数对器件的正常导通非常重要。 进一步的通过外延回填形成沟槽栅极底部的 p-型回填区域，结合沟槽栅侧壁形成的寄生 PMOS 在器件反向耐压 时的钳位开通，实现对栅氧的全面保护，使得本文中器件设计方案不需要通过高能离子注入，仅需要外延回填 工艺，即可形成碳化硅沟槽栅 MOSFET 及 IGBT 的沟槽栅底部的 p-型保护区域。