《机械工程》

Mechanical engineering

ISSN：2661-3530(P)/2661-3549(O)

环宇科学出版社;华文国际出版社

8964

带侧壁积累型通道结构碳化硅沟槽栅 MOSFET SiC Trench MOSFET with Sidewall Accumulation Channel Structure

支海朝万玉喜* （深圳平湖实验室广东深圳518100）

2024 11

本文设计了一种碳化硅沟槽栅控 MOSFET 及 IGBT 的新结构。通过外延回填工艺，获得 p-型侧壁较薄的侧壁回填厚度。该侧壁回填厚度需要非常薄（针对一个本方案的特征例进行仿真，获得该厚度范围为