<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Article Authoring DTD v1.4 20240229//EN" "JATS-articleauthoring1.dtd">
<article article-type="research-article" xml:lang="zh-CN" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">28</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title>《现代化工技术》原《现代化工》</journal-title>
        <abbrev-journal-title>Modern Chemical Engineering Technology</abbrev-journal-title>
      </journal-title-group>
      <issn>ISSN：3104-770X(P)/3104-7718(O)；原ISSN：2661-3670(P)/2661-3689(O)</issn>
      <publisher>
        <publisher-name>华文国际出版社</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>
      <article-id pub-id-type="doi">10.12361/2661-3670-07-02-3616</article-id>
      <article-id pub-id-type="publisher-id">12369</article-id>
      <title-group>
        <article-title>半导体激光器封装工艺中 PIND 现象的成因与预防措施</article-title>
      </title-group>
      <contrib-group>
        <contrib contrib-type="author">
          <string-name>崔绍晖 （中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄 050000）</string-name>
        </contrib>
      </contrib-group>
      <pub-date pub-type="epub">
        <year>2025</year>
        <month>2</month>
      </pub-date>
      <issue>2</issue>
      <abstract>
        <p>在光电子器件可靠性研究中，现代封装工程正构建覆盖全工艺链的跨尺度防控体系，通过分子动力学引导的界面重构技术抑制晶 格空位聚集，结合非平衡态热力学优化的低应力焊接工艺消除微裂纹形核，并运用基于量子限域效应的新型密封材料阻断污染物扩散路径， 同时融合多模态原位检测手段实现缺陷的跨维度表征，这种系统化解决方案显著提升了封装结构的内在鲁棒性，为光电子器件的可靠性设 计范式提供了新的理论框架。本研究系统阐释了 PIND 污染的形成动力学与多维度失效机理，提出了融合工艺优化与智能检测的闭环防控 范式，为突破高可靠性封装技术瓶颈提供了创新性解决方案。</p>
      </abstract>
    </article-meta>
  </front>
</article>
