半导体激光器封装工艺中 PIND 现象的成因与预防措施
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刊名 《现代化工》
作者 崔绍晖 (中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄 050000) 英文名 Modern Chemical Industry 年,卷(期) 2025年,第2期
主办单位 环宇科学出版社;华文国际出版社 刊号 ISSN:2661-3670(P)/2661-3689(O) DOI 10.12361/2661-3670-07-02-3616

半导体激光器封装工艺中 PIND 现象的成因与预防措施

在光电子器件可靠性研究中,现代封装工程正构建覆盖全工艺链的跨尺度防控体系,通过分子动力学引导的界面重构技术抑制晶 格空位聚集,结合非平衡态热力学优化的低应力焊接工艺消除微裂纹形核,并运用基于量子限域效应的新型密封材料阻断污染物扩散路径, 同时融合多模态原位检测手段实现缺陷的跨维度表征,这种系统化解决方案显著提升了封装结构的内在鲁棒性,为光电子器件的可靠性设 计范式提供了新的理论框架。本研究系统阐释了 PIND 污染的形成动力学与多维度失效机理,提出了融合工艺优化与智能检测的闭环防控 范式,为突破高可靠性封装技术瓶颈提供了创新性解决方案。

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