本研究通过原位环境透射电镜、原子探针层析技术及同步辐射三维成像，首次揭示 DT4 纯铁晶体间隙（黑洞） 的空位-位错-晶界协同演化机制，建立其形核生长模型：dr/dt=k•C_ν•ρ_“dis”^0.5•e^(-△G_b/kT)。证明黑洞导 致局部退磁场强度高达 15 kA/m，使电磁铁出力衰减 28%，并通过磁感应内耗机制加剧能量耗散，引发多频段性能劣化。提 出预氧化晶界愈合与铌微合金化双路径抑制技术，将黑洞密度降低至 5 个/mm²，器件寿命提升 400%，高频响应速度提升 3.2 倍。